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產(chǎn)品中心光電探測(cè)器銦鎵砷探測(cè)器InGaAs系列常溫型銦鎵砷探測(cè)器
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銦鎵砷探測(cè)器（常溫型）? DT-InGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)InGaAs元件? DT-InGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件? DT-InGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件
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G12181-030K長(zhǎng)波長(zhǎng)類(lèi)型（截止波長(zhǎng)：1.9 μm）- 截止波長(zhǎng)：1.9 μm- 低成本- 受光面：φ3 mm- 低噪聲- 高靈敏度- 高可靠性- 高速響應(yīng) | G12183-030K長(zhǎng)波長(zhǎng)類(lèi)型（截止波長(zhǎng)：2.6 μm）- 截止波長(zhǎng)：2.6 μm- 低成本- 受光面：φ3 mm- 低噪聲- 高靈敏度- 高可靠性- 高速響應(yīng) |
| 型號(hào)/參數(shù) | G12181-030K | G12183-030K |
| 受光面 | φ3.0 mm | φ3.0 mm |
| 像素?cái)?shù) | 1 | 1 |
| 封裝 | 金屬 | 金屬 |
| 封裝類(lèi)別 | TO-5 | TO-5 |
| 散熱 | 非冷卻型 | 非冷卻型 |
| 靈敏度波長(zhǎng)范圍 | 0.9 到 1.9 μm | 0.9 到 2.6 μm |
| 最大靈敏度波長(zhǎng)（典型值） | 1.75 μm | 2.3 μm |
| 感光靈敏度（典型值） | 1.1 A/W | 1.3 A/W |
| 暗電流（最大值） | 1000 nA | 300000 nA |
| 截止頻率（典型值） | 1.5 MHz | 0.8 MHz |
| 結(jié)電容（典型值） | 2000 pF | 4000 pF |
| 噪聲等效功率（典型值） | 2.0×10-13 W/Hz1/2 | 3×10-12 W/Hz1/2 |
| 測(cè)量條件 | 典型值Tc=25°C，除非另有說(shuō)明，感光靈敏度：λ= λp，暗電流：VR=0.5V，截止頻率：VR=0V，RL=50Ω，結(jié)電容：VR =0V，f=1MHz | 典型值Tc=-25°C，除非另有說(shuō)明，感光靈敏度：λ =λp，暗電流：VR=0.5V，截止頻率：VR =0V，RL= 50Ω，結(jié)電容：VR =0V，f =1MHz |
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