FL 9BW 長曝光制冷CMOS相機

產(chǎn)品簡介
15.96 mm (1″)
3000 (H) × 3000 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

產(chǎn)品型號：

更新時間：2025-09-16

廠商性質：生產(chǎn)廠家

訪問量：832

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

光電探測器

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產(chǎn)品介紹

FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術和鑫圖先進制冷密封工藝、圖像降噪技術聯(lián)合打造，不僅長曝光關鍵性能達到了深度制冷CCD的水平，還同時具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動態(tài)等性能特征，可以完（wan）全替代制冷CCD長曝光應用。

<0.0005 e-/p/s暗電流
可替代冷CCD長曝光應用
FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達-25℃，關鍵性能達到了深度制冷CCD相當?shù)乃?。在~10分鐘長曝光的條件下，F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時間內 (60分鐘)，信噪比都優(yōu)于695 CCD。
背景均一
定量分析更精準
FL 9BW同時集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖先進圖像降噪處理技術，基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應用。
SONY 背照式科學級芯片
綜合成像性能優(yōu)（you）越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學級CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當，峰值量子效率高達92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上，綜合成像性能十分優(yōu)（you）越。

技術參數(shù) >

型號:FL 9BW
芯片類型:BSI CMOS
芯片型號:SONY IMX533CLK-D
彩色 / 黑白:黑白
對角線尺寸:15.96 mm (1″)
有效面積:11.28 mm × 11.28 mm
像素大小:3.76 μm × 3.76 μm
分辨率:3000 x 3000, 9 MP
峰值量子效率:92 % @ 540 nm
暗電流:< 0.0005 e-/p/s
增益模式:Gain 0 – 高滿阱；Gain 1 – 平衡；Gain 2 – 高靈敏1；Gain 3 – 高靈敏2；
滿阱容量:Gain 0：47ke- @ bin1，binning 后＞180ke-；
Gain 1：16ke- @ bin1，binning 后 > 64ke-；
Gain 2：8ke- @ bin1，14 bit binning 后 >32ke-；
Gain 3：3ke- @ bin1，14 bit binning 后 >12ke-；
讀出模式:Standard，Low-Noise
讀出噪聲（標準讀出）:3.2e- @ Gain 0；1.2 e- @ Gain 1； 1.0 e- @ Gain 2；0.95 e- @ Gain 3
讀出噪聲（低噪聲讀出）:2.5e- @ Gain 0；1.0 e- @ Gain 1； 0.9 e- @ Gain 2；0.85 e- @ Gain 3
幀率:19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode
快門類型:卷簾
曝光時間:15 μs ~ 60 min
圖像校正:DDFC，DPC
ROI:支持
Binning:2；3；4；6；8；12；16；24
制冷方式:風冷
制冷溫度:-25 ℃ @ 室溫（22℃）
觸發(fā)模式:硬件，軟件
軟件:Mosaic, SamplePro, LabVIEW, MATLAB, Micromanager
觸發(fā)輸出:曝光開始，全局，讀出結束，高電平，低電平
觸發(fā)接口:Hirose
SDK:C，C++，C#
數(shù)據(jù)接口:USB 3.0
光學接口:C-Mount，支持定制
位深:14 bit, 16 bit
電源:12 V / 6 A
功耗:≤ 40 W
相機尺寸:76 mm x 76 mm x 98.5 mm
重量:835 g
操作系統(tǒng):Windows / Linux
操作環(huán)境:工作：溫度 0~40 °C, 濕度 10~85 %
儲存：溫度 -10~60 ℃, 濕度 0~85 %